推出 DDR5/DDR4/LPDDR5 Combo PHY IP 核,用 12FFC 工艺技术为下一代高性能 SoC 进行硅验证,可立即获得许可

 

-全球独立半导体 IP 核供应商及技术专业公司 T2MIP 很高兴地宣布,其合作伙伴的 12FFC 工艺节点 DDR5/DDR4/LPDDR5 Combo PHY IP 与相匹配的 DDR5 Combo 控制器 IP 已获得了高带宽和超快数据传送速率的硅验证,可立即供货。

DDR5/DDR4/LPDDR5 Combo PHY 和控制器 IP 也能够在 DDR4DDR5LPDDR5 模式下单独运行。其结构化的简单设计使其可方便地用于任何设计架构,还能提供低延迟并实现高达 5400MT/s 的吞吐量。它拥有可编程的输出阻抗 (DS) 和可编程的片上终端 (ODT) 特殊功能。 DDR5 Combo PHY 及匹配的控制器符合 DFI 5.0 版规范,可以支持多达 16 AXI 端口,且数据宽度高达 512 位。

这款使用了 12 纳米 FFC 工艺技术的 DDR5/DDR4/LPDDR5 Combo PHY IP 可支持各种 DDR5/ DDR4/ LPDDR5,其最大控制器时钟频率为 675MHz400MHz600MHz,可产生的最大 DRAM 数据传送速率为 5400MT/s(对于 DDR5)、3200MT/s(对于DDR4)和 4800MT/s(对于 LPDDR5)。该产品可支持四个模块,便于进行灵活配置 CA/DQ_X16/DQ_X8/ZQ12FFC 技术具有 ZQ 校准的附加功能,且每个 CA 模块可支持 4 个等级,对功耗有不同的考虑,其核心功率的工作电压为 0.8V

DDR5 Combo 控制器 IP 具有功能齐全、便于使用且可合成的设计,且与 DDR5 JESD79-5 JESD79-5 规范兼容。该核符合 DDR5DDR4 LPDDR5 的不同时钟频率。该核还支持 PHY 内部自动决策,并具有其他相关功能,如最大省电模式 (MPSM)、预充电命令模式、错误检查和纠正 (ECC)、重新排序交易等,可实现更高的性能以及完成自动刷新和关闭电源操作。该核能够支持高达 64GB 的设备密度和 X4X8X16 设备类型。

这些 IP 核的功能在 NC-Verilog 仿真软件中可使用 Verilog HDL 编写的测试台进行验证,这些测试台随 IP 核一同提供。

DDR5 Combo PHY IP 核和 DDR5 Combo 控制器 IP 核已用于半导体行业的企业计算、存储区域网络、嵌入式系统、图形设备和其他消费电子产品……


 

除了 DDR5 IP T2M 广泛的硅接口 IP 核组合还包括其他 USBHDMI、显示端口、MIPICSIDSIUniProUFSSoundwireI3C)、PCIe10/100/1000 以太网、V by One、可编程 SerDesSD/eMMC、串行 ATA 等,在几个主要工厂中,其制造几何尺寸最小可达 7 纳米。这些产品还可以根据要求被移植到其他代工厂和前沿制程节点。

可用性:这些半导体接口 IP 核可立即获得许可,既可独立使用,也可与预集成的控制器和 PHY 一起使用。如需了解更多关于许可选件和价格的信息,请发送请求/邮件至

关于 T2MT2MIP是一家全球性独立半导体技术专业公司,可提供复杂的半导体 IP 核、软件、KGD 和颠覆性技术,帮助您加速开发可穿戴设备、物联网、通信、存储、服务器、网络、电视、机顶盒和卫星 SoC。如需更多信息,请访问:www.t-2-m.com

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